Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TN2106
- RS-varenummer:
- 177-9842
- Producentens varenummer:
- TN2106K1-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 84,00
(ekskl. moms)
Kr. 105,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.120 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 4,20 | Kr. 84,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 177-9842
- Producentens varenummer:
- TN2106K1-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 280mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | TN2106 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 360mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.02mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 280mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie TN2106 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 360mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.02mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Transistoren med lav tærskel og optimeret tilstand (normalt off) benytter en lodret DMOS-struktur og velafprøvet silicium-gate produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikale DMOS FET’er er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder ønskes.
Fri for sekundære nedbrud
Lavt krav til strømdrev
Nem parallelopsætning
Lav CISS og hurtigt skiftende hastigheder
God termisk stabilitet
Integreret source-drain-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- Microchip Type N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SOT-23, TN2106
- Microchip Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring TO-92, TN2106
- onsemi Type N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SOT-23, NDS7002A
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben TP0610T
- Microchip Type P-Kanal -120 mA 100 V Forbedring SOT-23, VP2110
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 280 mA 60 V Forbedring SOT-563
- Toshiba Type N-Kanal 400 mA 60 V Forbedring SOT-23
- DiodesZetex Type N-Kanal 150 mA 60 V Forbedring SOT-23