onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 280 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SOT-563 Nej 2N7002V
- RS-varenummer:
- 805-1141
- Producentens varenummer:
- 2N7002V
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 bånd af 50 enheder)*
Kr. 35,20
(ekskl. moms)
Kr. 44,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.450 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 0,704 | Kr. 35,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 805-1141
- Producentens varenummer:
- 2N7002V
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 280mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-563 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250mW | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Højde | 0.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 1.7mm | |
| Bredde | 1.2 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 280mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-563 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250mW | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Højde 0.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 1.7mm | ||
Bredde 1.2 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Optimeret tilstand Dobbelt MOSFET, Fairchild Semiconductor
Felteffekttransistorer med optimeret tilstand er fremstillet med brug af Fairchilds egenudviklede DMOS teknologi med stor celletæthed. Denne proces med stor tæthed, der er designet med henblik på at minimere modstand i ledetilstand, giver en robust og pålidelig ydeevne og hurtigt skift.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 280 mA 60 V Forbedring SOT-563 Nej
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 280 mA 60 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 280 mA 60 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101 2N7002VC-7
- onsemi Type N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SOT-23, NDS7002A Nej
- onsemi Type N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SOT-23, NDS7002A Nej NDS7002A
- onsemi Type P-Kanal 950 mA 20 V Forbedring SOT-563, NTZS3151P Nej
- onsemi Type P-Kanal 950 mA 20 V Forbedring SOT-563, NTZS3151P Nej NTZS3151PT1G
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 540 mA 20 V Forbedring SOT-563 Nej
