onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt, Småsignal, 540 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-563
- RS-varenummer:
- 184-1406
- Producentens varenummer:
- NTZD3154NT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 75,00
(ekskl. moms)
Kr. 94,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | Kr. 0,75 | Kr. 75,00 |
| 500 - 900 | Kr. 0,646 | Kr. 64,60 |
| 1000 + | Kr. 0,56 | Kr. 56,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 184-1406
- Producentens varenummer:
- NTZD3154NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Småsignal | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 540mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-563 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 900mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Længde | 1.7mm | |
| Højde | 0.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Småsignal | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 540mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-563 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 900mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Længde 1.7mm | ||
Højde 0.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dette er en 20 V N-kanal Power MOSFET.
Lav RDS(on) Forbedrer systemets Effektivitet
Lav Tærskelværdi For Spænding
Lille sokkel 1,6 x 1,6 mm
ESD-beskyttet låge
Anvendelsesområder:
Belastnings-/Strømkontakter
Strømforsynings-konverterkredsløb
Batteristyring
Relaterede links
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 540 mA 20 V Forbedring SOT-563
- onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret 430 mA 20 V Forbedring SOT-563
- ROHM 2 Type N-Kanal Isoleret 300 mA 20 V Forbedring SOT-563, EM6K6
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 1.33 A 20 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 280 mA 60 V Forbedring SOT-563
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 910 mA 20 V Forbedring SC-88 AEC-Q101
- onsemi Type P-Kanal 950 mA 20 V Forbedring SOT-563, NTZS3151P
- onsemi 6 Ben Dobbelt 100 mA Overflade