onsemi 2 N-Kanal Dobbelt, Småsignal, 540 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-563
- RS-varenummer:
- 184-1406
- Producentens varenummer:
- NTZD3154NT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (100 enheder, i en pakke med 100)*
Kr. 101,50
(ekskl. moms)
Kr. 126,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 4.000 enhed(er) afsendes fra 22. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | Kr. 1,015 | Kr. 101,50 |
| 500 - 900 | Kr. 0,875 | Kr. 87,50 |
| 1000 + | Kr. 0,759 | Kr. 75,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 184-1406
- Producentens varenummer:
- NTZD3154NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Småsignal | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 540mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-563 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 900mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250mW | |
| Portkildespænding maks. | 7V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Højde | 0.6mm | |
| Længde | 1.7mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Småsignal | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 540mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-563 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 900mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250mW | ||
Portkildespænding maks. 7V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.3mm | ||
Højde 0.6mm | ||
Længde 1.7mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dette er en 20 V N-kanal Power MOSFET.
Lav RDS(on) Forbedrer systemets Effektivitet
Lav Tærskelværdi For Spænding
Lille sokkel 1,6 x 1,6 mm
ESD-beskyttet låge
Anvendelsesområder:
Belastnings-/Strømkontakter
Strømforsynings-konverterkredsløb
Batteristyring