onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 950 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-563, NTZS3151P Nej NTZS3151PT1G
- RS-varenummer:
- 780-4806
- Producentens varenummer:
- NTZS3151PT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 50,55
(ekskl. moms)
Kr. 63,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 2,022 | Kr. 50,55 |
| 100 - 225 | Kr. 1,741 | Kr. 43,53 |
| 250 - 475 | Kr. 1,511 | Kr. 37,78 |
| 500 - 975 | Kr. 1,328 | Kr. 33,20 |
| 1000 + | Kr. 1,209 | Kr. 30,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 780-4806
- Producentens varenummer:
- NTZS3151PT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 950mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | NTZS3151P | |
| Emballagetype | SOT-563 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 240mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.6nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 210mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 1.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.6mm | |
| Bredde | 1.3 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 950mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie NTZS3151P | ||
Emballagetype SOT-563 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 240mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.6nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.9V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 210mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 1.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.6mm | ||
Bredde 1.3 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal Power MOSFET, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi Type P-Kanal 950 mA 20 V Forbedring SOT-563, NTZS3151P Nej
- onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret 430 mA 20 V Forbedring SOT-563 Nej
- onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret 430 mA 20 V Forbedring SOT-563 Nej NTZD3152PT1G
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 280 mA 60 V Forbedring SOT-563 Nej
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 280 mA 60 V Forbedring SOT-563 Nej 2N7002V
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 540 mA 20 V Forbedring SOT-563 Nej
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 540 mA 20 V Forbedring SOT-563 Nej NTZD3154NT1G
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Dobbelt 1.03 A 20 V Forbedring SOT-563, DMG1023 AEC-Q101
