DiodesZetex 1 Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 1.03 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-563, DMG1023 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 206-0067
- Producentens varenummer:
- DMG1023UVQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 74,70
(ekskl. moms)
Kr. 93,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5.450 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 1,494 | Kr. 74,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0067
- Producentens varenummer:
- DMG1023UVQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.03A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | DMG1023 | |
| Emballagetype | SOT-563 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 530W | |
| Portkildespænding maks. | 6 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 622.4nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 0.6mm | |
| Bredde | 1.2 mm | |
| Længde | 1.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.03A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie DMG1023 | ||
Emballagetype SOT-563 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 530W | ||
Portkildespænding maks. 6 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 622.4nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 0.6mm | ||
Bredde 1.2 mm | ||
Længde 1.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 20 V komplementær par-forstærkningstilstanden MOSFET er designet til at minimere modstand i tilstanden og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyringsanvendelse. Dens gate-source-spænding er 6 V med 0,53 W termisk effekttab.
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Relaterede links
- DiodesZetex 1 Type P-Kanal Dobbelt 1.03 A 20 V Forbedring SOT-563, DMG1023 AEC-Q101 DMG1023UVQ-7
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben DMC2710 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 1.38 A 20 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P Effekt MOSFET 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 1.38 A 20 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101 DMG1024UV-7
- DiodesZetex 2 Type P Effekt MOSFET 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101 DMG1029SV-7
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 260 mA 30 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 280 mA 60 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101
