DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 260 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101 DMN63D8LV-7
- RS-varenummer:
- 822-2592
- Producentens varenummer:
- DMN63D8LV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 40,70
(ekskl. moms)
Kr. 50,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5.300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 + | Kr. 0,407 | Kr. 40,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 822-2592
- Producentens varenummer:
- DMN63D8LV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 260mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-563 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 450mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.4nC | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Længde | 1.7mm | |
| Standarder/godkendelser | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | |
| Højde | 0.6mm | |
| Bredde | 1.25 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 260mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-563 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 450mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.4nC | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Længde 1.7mm | ||
Standarder/godkendelser UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | ||
Højde 0.6mm | ||
Bredde 1.25 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 260 mA 30 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 280 mA 60 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 280 mA 60 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101 2N7002VC-7
- DiodesZetex 2 Type P Effekt MOSFET 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P Effekt MOSFET 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101 DMG1029SV-7
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 1.38 A 20 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 1.38 A 20 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101 DMG1024UV-7
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 1.33 A 20 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101