DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 280 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101 2N7002VC-7
- RS-varenummer:
- 885-5362
- Producentens varenummer:
- 2N7002VC-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 78,05
(ekskl. moms)
Kr. 97,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 5.550 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 1,561 | Kr. 78,05 |
| 250 - 450 | Kr. 1,436 | Kr. 71,80 |
| 500 - 1200 | Kr. 1,351 | Kr. 67,55 |
| 1250 - 2450 | Kr. 1,242 | Kr. 62,10 |
| 2500 + | Kr. 1,143 | Kr. 57,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 885-5362
- Producentens varenummer:
- 2N7002VC-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 280mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-563 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 40 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150mW | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Højde | 0.6mm | |
| Længde | 1.7mm | |
| Bredde | 1.25 mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 S, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020, RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 280mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-563 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 40 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150mW | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Højde 0.6mm | ||
Længde 1.7mm | ||
Bredde 1.25 mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 S, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020, RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 280 mA 60 V SOT-563 2N7002VC-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 280 mA 6 ben, SOT-563 DMG1029SV-7
- onsemi N-Kanal 280 mA 60 V SOT-563 2N7002V
- DiodesZetex N-Kanal 350 mA 50 V SOT-563 DMN53D0LV-7
- DiodesZetex N-Kanal 260 mA 30 V SOT-563 DMN63D8LV-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 1 A 6 ben, SOT-563 DMC2400UV-7
- DiodesZetex P-Kanal 280 mA 60 V TO-92 ZVP2106ASTZ
- DiodesZetex P-Kanal 280 mA 60 V E-Line ZVP2106A
