DiodesZetex 2 Type N-Kanal, MOSFET 50 V Forbedring, 6 Ben, SOT-563 Nej DMN53D0LV-7
- RS-varenummer:
- 246-7518
- Producentens varenummer:
- DMN53D0LV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 48,225
(ekskl. moms)
Kr. 60,275
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 1,929 | Kr. 48,23 |
| 50 - 75 | Kr. 1,882 | Kr. 47,05 |
| 100 - 225 | Kr. 1,394 | Kr. 34,85 |
| 250 - 975 | Kr. 1,361 | Kr. 34,03 |
| 1000 + | Kr. 1,326 | Kr. 33,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 246-7518
- Producentens varenummer:
- DMN53D0LV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Emballagetype | SOT-563 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 1.5 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 430mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Emballagetype SOT-563 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 1.5 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 430mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex gør en dobbelt N-kanal MOSFET er designet til at minimere den on-state modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Den giver hurtig skiftehastighed, lav indgangs-/udgangslækage. Det ultralille overflademonterede hus er ESD-beskyttet til 2KV.
Lav on-Resistance meget lav Gate Threshold spænding lav indgangskapacitet
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 350 mA 50 V SOT-563 DMN53D0LV-7
- DiodesZetex N-Kanal 260 mA 30 V SOT-563 DMN63D8LV-7
- DiodesZetex N-Kanal 280 mA 60 V SOT-563 2N7002VC-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 280 mA 6 ben, SOT-563 DMG1029SV-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 1 A 6 ben, SOT-563 DMC2400UV-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 1 800 mA 20 V SOT-563, DMC2710 DMC2710UV-7
- DiodesZetex N-Kanal 1 6 ben, SOT-563 DMG1024UV-7
- DiodesZetex N-Kanal 1 6 ben, SOT-563 DMN2400UV-7
