DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 260 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101 DMN63D8LDW-7
- RS-varenummer:
- 822-2598
- Producentens varenummer:
- DMN63D8LDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 51,90
(ekskl. moms)
Kr. 64,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | Kr. 0,519 | Kr. 51,90 |
| 500 - 900 | Kr. 0,465 | Kr. 46,50 |
| 1000 - 1400 | Kr. 0,339 | Kr. 33,90 |
| 1500 - 2900 | Kr. 0,297 | Kr. 29,70 |
| 3000 + | Kr. 0,272 | Kr. 27,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 822-2598
- Producentens varenummer:
- DMN63D8LDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 260mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 400mW | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Længde | 2.2mm | |
| Standarder/godkendelser | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Højde | 1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 260mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 400mW | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.4nC | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Længde 2.2mm | ||
Standarder/godkendelser UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Højde 1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 260 mA 30 V Forbedring SC-88 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 1.3 A 30 V Forbedring SC-88 AEC-Q200 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 200 mA 60 V Forbedring SC-88 AEC-Q101 AEC-Q100
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 300 mA 60 V Forbedring SC-88 AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 300 mA 60 V Forbedring SC-88 AEC-Q101 NTJD5121NT1G
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 260 mA 30 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 260 mA 30 V Forbedring SOT-563 AEC-Q101 DMN63D8LV-7
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Enkelt 360 mA 50 V Forbedring SC-88 AEC-Q200 AEC-Q100