DiodesZetex 1 Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 360 mA 50 V Forbedring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- RS-varenummer:
- 921-1105
- Producentens varenummer:
- DMN53D0LDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 40,90
(ekskl. moms)
Kr. 51,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 7.500 enhed(er) afsendes fra 31. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | Kr. 0,409 | Kr. 40,90 |
| 500 - 900 | Kr. 0,375 | Kr. 37,50 |
| 1000 - 1900 | Kr. 0,366 | Kr. 36,60 |
| 2000 - 2900 | Kr. 0,355 | Kr. 35,50 |
| 3000 + | Kr. 0,347 | Kr. 34,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 921-1105
- Producentens varenummer:
- DMN53D0LDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 360mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 310mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Længde | 2.2mm | |
| Standarder/godkendelser | J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 360mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 310mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Længde 2.2mm | ||
Standarder/godkendelser J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
N-kanal MOSFET, 40 V til 90 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 360 mA 50 V SOT-363 DMN53D0LDW-7
- DiodesZetex N-Kanal 360 mA 50 V SOT-323 DMN53D0LW-7
- DiodesZetex N-Kanal 100 mA 50 V SOT-363 DDC143ZU-7-F
- DiodesZetex N-Kanal 460 mA 50 V SOT-363, DMN53D0LDWQ DMN53D0LDWQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 200 mA 50 V SOT-363 BSS138DW-7-F
- DiodesZetex N-Kanal 260 mA 30 V SOT-363 DMN63D8LDW-7
- DiodesZetex N-Kanal 318 mA 60 V SOT-363 DMN61D9UDWQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 200 mA 60 V SOT-363 DMN65D8LDW-7
