MPN

DiodesZetex 2 N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 200 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

RS-varenummer:: 822-2602
Producentens varenummer:: DMN65D8LDW-7
Brand:: DiodesZetex

DiodesZetex 2 N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 200 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Indhold (1 pakke af 100 enheder)*

Kr. 83,50

(ekskl. moms)

Kr. 104,40

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
100 +	Kr. 0,835	Kr. 83,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 822-2602
Producentens varenummer:: DMN65D8LDW-7
Brand:: DiodesZetex

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	DiodesZetex
	Kanaltype	N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	200mA
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	SC-88
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	8Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	0.43nC
	Effektafsættelse maks. Pd	400mW
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	0.8V
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Transistorkonfiguration	Isoleret
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020
	Bredde	1.35mm
	Højde	1mm
	Længde	2.2mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

	Vælg alle
	Brand DiodesZetex
	Kanaltype N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200mA
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype SC-88
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 8Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.43nC
	Effektafsættelse maks. Pd 400mW
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 0.8V
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Transistorkonfiguration Isoleret
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020
	Bredde 1.35mm
	Højde 1mm
	Længde 2.2mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Dobbelt N-kanal MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET transistorer, Diodes Inc.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.