DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 200 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- RS-varenummer:
- 165-8845
- Producentens varenummer:
- DMN65D8LDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.785,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.232,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,595 | Kr. 1.785,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-8845
- Producentens varenummer:
- DMN65D8LDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.43nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 400mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.43nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 400mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 200 mA 60 V Forbedring SC-88 AEC-Q101 AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 1.3 A 30 V Forbedring SC-88 AEC-Q200 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 260 mA 30 V Forbedring SC-88 AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Enkelt 360 mA 50 V Forbedring SC-88 AEC-Q200 AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 115 mA 60 V Forbedring SC-88 AEC-Q100 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 200 mA 50 V Forbedring SC-88 AEC-Q101 AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben AEC-Q100, AEC-Q101