MPN

Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23

Name: Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23
Brand: Toshiba
SKU: 171-2411
Availability: InStock

Der er mulighed for mængderabat

Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 486,00

(ekskl. moms)

Kr. 606,00

(inkl. moms)

På lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

*Vejledende pris

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Toshiba
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	400mA
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	1.75Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	-0.79V
	Effektafsættelse maks. Pd	1W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	0.39nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	2.9mm
	Højde	0.9mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Toshiba
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 400mA
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 1.75Ω
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf -0.79V
	Effektafsættelse maks. Pd 1W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.39nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 2.9mm
	Højde 0.9mm
	Bilindustristandarder Nej

Højhastighedskobling

ESD-niveau (HBM) 2 kV

Lav drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1,05 Ω (typ.) (ved VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 Ω (typ.) (ved VGS = 5,0 V)

RDS(ON) = 1,2 Ω (typ.) (ved VGS = 4,5 V)

Relaterede links

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.