Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 486,00

(ekskl. moms)

Kr. 606,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 20. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,162Kr. 486,00
6000 - 6000Kr. 0,154Kr. 462,00
9000 +Kr. 0,147Kr. 441,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
171-2411
Producentens varenummer:
T2N7002BK
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

400mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.75Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.39nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-0.79V

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.9mm

Bredde

1.3 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

2.9mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TH
Højhastighedskobling

ESD-niveau (HBM) 2 kV

Lav drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1,05 Ω (typ.) (ved VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 Ω (typ.) (ved VGS = 5,0 V)

RDS(ON) = 1,2 Ω (typ.) (ved VGS = 4,5 V)

Relaterede links