Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 2 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 52,45

(ekskl. moms)

Kr. 65,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 16.750 enhed(er) afsendes fra 21. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 100Kr. 1,049Kr. 52,45
150 - 450Kr. 0,88Kr. 44,00
500 - 950Kr. 0,757Kr. 37,85
1000 +Kr. 0,646Kr. 32,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-2471
Producentens varenummer:
SSM3K339R
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

390mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.1nC

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.7mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

2.9mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TH
Strømstyringsomskiftere

DC/DC-konvertere

1,8 V gate-drevspænding.

Lav drain-source on-resistance

RDS(ON) = 145 mΩ (typ.) (ved VGS = 8,0 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 155 mΩ (typ.) (ved VGS = 4,5 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 160 mΩ (typ.) (ved VGS = 3,6 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 180 mΩ (typ.) (ved VGS = 2,5 V, ID = 0,5 A)

RDS(ON) = 220 mΩ (typ.) (ved VGS = 1,8 V, ID = 0,2 A)

Relaterede links