Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 2 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.096,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.870,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 15.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 1,032Kr. 3.096,00
6000 - 6000Kr. 0,985Kr. 2.955,00
9000 +Kr. 0,927Kr. 2.781,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
171-2402
Producentens varenummer:
SSM3K339R
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

390mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.1nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

2.9mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.7mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TH
Strømstyringsomskiftere

DC/DC-konvertere

1,8 V gate-drevspænding.

Lav drain-source on-resistance

RDS(ON) = 145 mΩ (typ.) (ved VGS = 8,0 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 155 mΩ (typ.) (ved VGS = 4,5 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 160 mΩ (typ.) (ved VGS = 3,6 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 180 mΩ (typ.) (ved VGS = 2,5 V, ID = 0,5 A)

RDS(ON) = 220 mΩ (typ.) (ved VGS = 1,8 V, ID = 0,2 A)

Relaterede links