Toshiba N-Kanal, MOSFET, 2 A 40 V, 3 Ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 236-3578
- Producentens varenummer:
- SSM3K339R,LF(T
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 37,50
(ekskl. moms)
Kr. 46,90
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | Kr. 0,375 | Kr. 37,50 |
| 200 - 200 | Kr. 0,37 | Kr. 37,00 |
| 300 - 400 | Kr. 0,366 | Kr. 36,60 |
| 500 - 900 | Kr. 0,361 | Kr. 36,10 |
| 1000 + | Kr. 0,357 | Kr. 35,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 236-3578
- Producentens varenummer:
- SSM3K339R,LF(T
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 220mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.1nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.85V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.9mm | |
| Længde | 2.4mm | |
| Højde | 800μm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 220mΩ | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.1nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.85V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.9mm | ||
Længde 2.4mm | ||
Højde 800μm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Toshiba-transistoren med felteffekt, der består af silikonemateriale og med N-kanal MOS-type. Den bruges primært til switching-applikationer til strømstyring.
Temperaturområde ved opbevaring - 55 til 150 C.