Toshiba Type P-Kanal, MOSFET, 6 A 20 V, 3 Ben, SOT-23 Nej SSM3J328R,LF(T
- RS-varenummer:
- 236-3567
- Producentens varenummer:
- SSM3J328R,LF(T
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 64,70
(ekskl. moms)
Kr. 80,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.450 enhed(er) afsendes fra 09. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 1,294 | Kr. 64,70 |
| 100 - 200 | Kr. 1,15 | Kr. 57,50 |
| 250 - 450 | Kr. 1,128 | Kr. 56,40 |
| 500 - 950 | Kr. 1,104 | Kr. 55,20 |
| 1000 + | Kr. 1,038 | Kr. 51,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 236-3567
- Producentens varenummer:
- SSM3J328R,LF(T
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 88.4mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.8nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.87V | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.4mm | |
| Bredde | 2.9 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 88.4mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.8nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.87V | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.4mm | ||
Bredde 2.9 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Toshiba-transistoren med felteffekt, der består af silikonemateriale og har P-kanal MOS-type. Den bruges primært til switching-applikationer til strømstyring.
Temperaturområde ved opbevaring - 55 til 150 C.
Relaterede links
- Toshiba P-Kanal 6 A 20 V SOT-23 SSM3J328R,LF(T
- Toshiba P-Kanal 2 A 60 V SOT-23 SSM3J356R,LF(T
- Toshiba P-Kanal 3 3 benLF(T
- Toshiba P-Kanal 6 A 12 V SOT-23 SSM3J338R,LF(T
- Toshiba P-Kanal 4 A 30 V SOT-23 SSM3J334R,LF(T
- Toshiba N-Kanal 6 A 60 V SOT-23 SSM3K341R,LF(T
- Toshiba N-Kanal 3 3 benLF(T
- Toshiba N-Kanal 2 A 40 V SOT-23 SSM3K339R,LF(T
