Toshiba N-Kanal, MOSFET, 6 A 30 V, 3 ben, SOT-23 SSM3K333R
- RS-varenummer:
- 171-2399
- Producentens varenummer:
- SSM3K333R
- Brand:
- Toshiba
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 171-2399
- Producentens varenummer:
- SSM3K333R
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 6 A | |
| Drain source spænding maks. | 30 V | |
| Kapslingstype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 42 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 2.5V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. | 2 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | ±20 V | |
| Bredde | 1.8mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 3,4 nC ved 4,5 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 0.8mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 6 A | ||
Drain source spænding maks. 30 V | ||
Kapslingstype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 42 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 2.5V | ||
Mindste tærskelspænding for port 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. 2 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. ±20 V | ||
Bredde 1.8mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 3,4 nC ved 4,5 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 0.8mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
4,5 V drev
Lav ON-modstand: RDS(ON) = 42 mΩ (maks.) (ved VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 28 mΩ (maks.) (ved VGS = 10 V)
Lav ON-modstand: RDS(ON) = 42 mΩ (maks.) (ved VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 28 mΩ (maks.) (ved VGS = 10 V)
Relaterede links
- Toshiba N-Kanal 6 A 30 V SOT-23 SSM3K333R
- Toshiba N-Kanal 6 A 30 V SOT-23 SSM3K335R
- Toshiba N-Kanal 6 A 30 V SOT-23 SSM3K335R,LF(B
- Toshiba N-Kanal 3 3 benLF(T
- Toshiba N-Kanal 2 A 40 V SOT-23 SSM3K339R
- Toshiba N-Kanal 400 mA 60 V SOT-23 T2N7002BK
- Toshiba N-Kanal 6 A 60 V SOT-23 SSM3K341R,LF(T
- Toshiba N-Kanal 200 mA 60 V SOT-23 T2N7002AK,LM(T
