Microchip Type P-Kanal, MOSFET, -120 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, VP2110 Nej VP2110K1-G

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 54,45

(ekskl. moms)

Kr. 68,06

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.840 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 5,445Kr. 54,45
50 - 90Kr. 5,341Kr. 53,41
100 - 240Kr. 2,857Kr. 28,57
250 - 990Kr. 2,812Kr. 28,12
1000 +Kr. 2,753Kr. 27,53

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
264-8951
Producentens varenummer:
VP2110K1-G
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-120mA

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-23

Serie

VP2110

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

12Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

2V

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

0.36W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.3 mm

Længde

2.9mm

Højde

1.12mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Microchips P-kanal MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) udnytter en vertikal DMOS-struktur og gennemprøvet silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.

Uden sekundær afbrydelse

Krav til drev med lavt strømforbrug

Let parallellering

Lav CISS og hurtig skiftehastighed

Fremragende termisk stabilitet

Integreret kilde-til-dræn-diode

Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Relaterede links