Microchip Type P-Kanal, MOSFET, -120 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, VP2110 Nej
- RS-varenummer:
- 264-8950
- Producentens varenummer:
- VP2110K1-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 12.414,00
(ekskl. moms)
Kr. 15.516,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 4,138 | Kr. 12.414,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-8950
- Producentens varenummer:
- VP2110K1-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -120mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | VP2110 | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.36W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.3 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -120mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie VP2110 | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.36W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.3 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchips P-kanal MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) udnytter en vertikal DMOS-struktur og gennemprøvet silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor meget lav tærskelspænding, høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Uden sekundær afbrydelse
Krav til drev med lavt strømforbrug
Let parallellering
Lav CISS og hurtig skiftehastighed
Fremragende termisk stabilitet
Integreret kilde-til-dræn-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Relaterede links
- Microchip Type P-Kanal -120 mA 100 V Forbedring SOT-23, VP2110 Nej VP2110K1-G
- onsemi Type P-Kanal 120 mA 60 V Forbedring SOT-23, NDS0605 Nej
- onsemi Type P-Kanal 120 mA 60 V Forbedring SOT-23, NDS0605 Nej NDS0610
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben TP0610T Nej TP0610T-G
- Microchip Type P-Kanal -200 mA 350 V MOSFET SOT-23 Nej
- onsemi Type P-Kanal 900 mA 30 V Forbedring SOT-23, NDS352AP Nej
- onsemi Type P-Kanal 180 mA 60 V Forbedring SOT-23, NDS0605 Nej
- Microchip Type P-Kanal -200 mA 350 V MOSFET SOT-23 Nej TP5335K1-G