Microchip Type P-Kanal, MOSFET, -200 mA 350 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23
- RS-varenummer:
- 264-8932
- Producentens varenummer:
- TP5335K1-G
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 42,49
(ekskl. moms)
Kr. 53,11
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.490 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 4,249 | Kr. 42,49 |
| 50 - 90 | Kr. 4,166 | Kr. 41,66 |
| 100 - 240 | Kr. 3,224 | Kr. 32,24 |
| 250 - 990 | Kr. 3,172 | Kr. 31,72 |
| 1000 + | Kr. 3,104 | Kr. 31,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 264-8932
- Producentens varenummer:
- TP5335K1-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -200mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 350V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | MOSFET | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.36W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -200mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 350V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform MOSFET | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.36W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip P-kanal MOSFET med lav tærskel, forbedringstilstand (normalt slukket) udnytter en avanceret vertikal DMOS-struktur og gennemprøvet silicium-gate-fremstillingsproces. Denne kombination frembringer en enhed med effekthåndteringsmulighederne for bipolære transistorer og med den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er iboende i MOS-enheder. Denne enhed er karakteristisk for alle MOS-strukturer og er fri for termisk flugt og termisk induceret sekundær sammenbrud. Vertikale DMOS FET'er er ideelle til en bred vifte af koblings- og forstærkningsanvendelser, hvor høj nedbrydningsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige koblingshastigheder ønskes.
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Krav til drev med lavt strømforbrug
Let parallellering
Lav CISS og hurtig skiftehastighed
Fremragende termisk stabilitet
Integreret kilde-drain-diode
Uden sekundær afbrydelse
Relaterede links
- Microchip Type P-Kanal -200 mA 350 V MOSFET SOT-23
- Microchip Type N-Kanal 230 mA 350 V MOSFET SOT-23, TN5335
- Microchip Type N-Kanal 135 mA 350 V Udtømning SOT-23, DN3135
- Microchip Type P-Kanal -120 mA 100 V Forbedring SOT-23, VP2110
- Microchip Type P-Kanal 0.6 A 40 V MOSFET SOT-23
- Microchip Type N-Kanal 140 mA 240 V MOSFET SOT-23
- Microchip Type N-Kanal 250 mA 300 V MOSFET SOT-23
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben TP0610T