Microchip N-Kanal, MOSFET, 135 mA 350 V Udtømning, 3 Ben, SOT-23, DN3135
- RS-varenummer:
- 165-5144
- Producentens varenummer:
- DN3135K1-G
- Brand:
- Microchip
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 13.950,00
(ekskl. moms)
Kr. 17.430,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 9.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 4,65 | Kr. 13.950,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-5144
- Producentens varenummer:
- DN3135K1-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 135mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 350V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | DN3135 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Portkildespænding maks. | -3.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.3W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Standarder/godkendelser | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 135mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 350V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie DN3135 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Portkildespænding maks. -3.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.3W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.4mm | ||
Standarder/godkendelser Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DN3135 er en transistor med lav tærskelværdi og udtømningstilstand (normalt tændt), der anvender en avanceret lodret DMOS-struktur og velafprøvet silicium-gate produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne af bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikal DMOS FET'er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtigt skiftende hastigheder er ønsket.
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet
Hurtig omkoblingshastighed
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundære nedbrud
Lav indgangs- og udgangslækstrøm
Relaterede links
- Microchip N-Kanal 135 mA 350 V Udtømning SOT-23, DN3135
- Microchip N-Kanal 72 mA 350 V Udtømning SOT-89, DN3135
- Microchip N-Kanal 13 mA 500 V Udtømning SOT-23, LND150
- Microchip N-Kanal 230 mA 350 V MOSFET SOT-23, TN5335
- Microchip Type P-Kanal -200 mA 350 V MOSFET SOT-23
- Microchip Enkelt N-Kanal 230 mA 350 V Udtømning, 4 Ben
- Microchip N-Kanal 120 mA 350 V Udtømning TO-92, DN2535
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101