Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Udtømning, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 753-2800
- Producentens varenummer:
- BSP129H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 34,71
(ekskl. moms)
Kr. 43,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 5 enhed(er) afsendes fra 29. juli 2026
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 01. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 6,942 | Kr. 34,71 |
| 50 - 120 | Kr. 6,208 | Kr. 31,04 |
| 125 - 245 | Kr. 5,744 | Kr. 28,72 |
| 250 - 495 | Kr. 5,356 | Kr. 26,78 |
| 500 + | Kr. 5,012 | Kr. 25,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 753-2800
- Producentens varenummer:
- BSP129H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 240V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.6mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 240V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.6mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 350 mA 240 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 660 mA 200 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 mA 600 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 230 mA 60 V Udtømning SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 21 mA 600 V Udtømning SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 350 mA 240 V Forbedring SOT-223, BSP88 AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.17 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101