Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, BSP88 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 218-2981
- Producentens varenummer:
- BSP88H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 1.355,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.694,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 1,355 | Kr. 1.355,00 |
| 2000 - 4000 | Kr. 1,22 | Kr. 1.220,00 |
| 5000 + | Kr. 1,152 | Kr. 1.152,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-2981
- Producentens varenummer:
- BSP88H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 240V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | BSP88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.7mm | |
| Bredde | 3.7 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-39-399 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 240V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie BSP88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.7mm | ||
Bredde 3.7 mm | ||
Distrelec Product Id 304-39-399 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon lille signal/lille effekt MOSFET. Alle N-kanal produkter med lille signal er velegnede til brug i biler (undtagen 2N7002).
Enhancement mode
Blyfri forgyldning
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V SOT-223, SIPMOS® BSP88H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V Depletion SOT-223, SIPMOS® BSP129H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V SOT-223, SIPMOS® AEC-Q101 BSP89H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 280 mA 240 V Depletion SOT-223, SIPMOS® BSP129H6906XTSA1
- Infineon N-Kanal 280 mA 240 V Depletion SOT-223, SIPMOS® AEC-Q101 BSP129H6906XTSA1
- Infineon N-Kanal 170 mA 400 V SOT-223, SIPMOS® BSP324H6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 260 mA 250 V SOT-223, SIPMOS® BSP92PH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V SOT-223, SIPMOS® BSP125H6327XTSA1
