Infineon N-Kanal, MOSFET, 1,8 A 60 V, 3 ben, SOT-223, SIPMOS® BSP295H6327XTSA1

RS-varenummer:: 445-2269
Producentens varenummer:: BSP295H6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 1,8 A 60 V, 3 ben, SOT-223, SIPMOS® BSP295H6327XTSA1

Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 5)**

Kr. 1,634

(ekskl. moms)

Kr. 2,042

(inkl. moms)

60 På lager for afsendelse samme dag*

155 enheder til afsendelse inden for 1 arbejdsdag(e) (UK lager)

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Enheder	Pr stk.	Pr pakke**
5 +	Kr. 1,634	Kr. 8,17

RS-varenummer:: 445-2269
Producentens varenummer:: BSP295H6327XTSA1
Brand:: Infineon

BSP 295 SIPMOS ® Small-Signal Transistor Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	1,8 A
Drain source spænding maks.	60 V
Kapslingstype	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	300 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	2V
Mindste tærskelspænding for port	0.8V
Effektafsættelse maks.	1,8 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Gate-ladning ved Vgs typisk	14 nC ved 10 V
Transistormateriale	Si
Bredde	3.5mm
Længde	6.5mm
Antal elementer per chip	1
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	1.6mm

Infineon N-Kanal, MOSFET, 1,8 A 60 V, 3 ben, SOT-223, SIPMOS® BSP295H6327XTSA1

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er

Relaterede links