Infineon N-Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 445-2281
- Producentens varenummer:
- BSP89H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 35,53
(ekskl. moms)
Kr. 44,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 14. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 7,106 | Kr. 35,53 |
| 50 - 245 | Kr. 6,538 | Kr. 32,69 |
| 250 - 495 | Kr. 6,118 | Kr. 30,59 |
| 500 - 1245 | Kr. 5,67 | Kr. 28,35 |
| 1250 + | Kr. 5,266 | Kr. 26,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 445-2281
- Producentens varenummer:
- BSP89H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 240V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.3nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.6mm | |
| Bredde | 3.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 240V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.3nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.6mm | ||
Bredde 3.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Ikke i overensstemmelse med RoHS
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 350 mA maksimal kontinuerlig drænstrøm, 1,8 W maksimal effektafledning - BSP89H6327XTSA1
Denne MOSFET er en nøglekomponent til elektroniske højspændingsapplikationer og giver effektive skiftefunktioner. Ved hjælp af N-kanals enhancement mode-teknologi er den velegnet til bil- og industrielektronik og sikrer effektiv drift under forskellige forhold. SOT-223-pakken muliggør alsidig overflademontering, hvilket gør den velegnet til moderne kredsløbsdesign.
Egenskaber og fordele
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 350 mA
• Høj drain-source-spænding på 240 V for øget sikkerhed
• Lav gate-tærskelspænding forbedrer følsomheden
• Strømspredningskapacitet på op til 1,8 W
• Ideel til applikationer på logikniveau med hurtige skiftetider
Anvendelsesområder
• Strømstyring i bilens elektronik
• MOSFET-baserede switching-strømforsyninger
• Signalforstærkning i elektroniske kredsløb
Hvad er det maksimale temperaturområde for drift?
Den fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +150 °C og er velegnet til forskellige miljøforhold.
Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen ydeevnen?
En lav gate-tærskelspænding gør, at MOSFET'en kan aktiveres ved lavere indgangsspændinger, hvilket forbedrer effektiviteten i batteridrevne enheder.
Hvilken type montering er kompatibel med denne enhed?
Denne komponent er designet til overflademontering i en SOT-223-pakke, hvilket gør den nem at integrere i printkort.
Kan den håndtere pulserende afløbsstrømme?
Ja, den kan håndtere pulserende afløbsstrømme på op til 1,4 A, hvilket giver ekstra fleksibilitet til burst power-applikationer.
Er den egnet til brug med mikrocontrollere?
Ja, dens kompatibilitet på logisk niveau giver mulighed for direkte interface med mikrocontroller-udgange for effektiv kontrol.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V Forbedring SOT-223, BSP88 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 170 mA 400 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.7 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101