Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-5073
- Producentens varenummer:
- BSP613PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1000 enheder, på en rulle med 1000)*
Kr. 4.401,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.501,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 13.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 4,401 | Kr. 4.401,00 |
| 2000 - 2000 | Kr. 4,181 | Kr. 4.181,00 |
| 3000 + | Kr. 4,016 | Kr. 4.016,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-5073
- Producentens varenummer:
- BSP613PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 130mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 10.8W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 40mm | |
| Bredde | 40mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 130mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 10.8W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 40mm | ||
Bredde 40mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 2,9 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSP613PH6327XTSA1
Denne MOSFET er en P-kanal-forstærkningstransistor, der er designet til overflademonteret effektomskiftning i krævende miljøer. Den leverer kontrolleret gate-drevet omskiftning til bil- og industrisystemer og tilbyder en kombination af moderat strømstyrkehåndtering og temperaturtolerance for at understøtte drift ved høje temperaturer og kompakte kortlayouter.
Egenskaber og fordele:
• 60 V drain-source-klassificering muliggør mellemspændingsswitching
• 2,9 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter stabil belastningsforsyning
• 130 mΩ maks. Rds(on) reducerer ledningstab
• 22 nC typisk portladning forenkler dimensionering af portdrev
• 10.8 W maksimal effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering
• Driftsområde fra -55 °C til 175 °C passer til brede ekstreme temperaturer
• 2,9 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter stabil belastningsforsyning
• 130 mΩ maks. Rds(on) reducerer ledningstab
• 22 nC typisk portladning forenkler dimensionering af portdrev
• 10.8 W maksimal effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering
• Driftsområde fra -55 °C til 175 °C passer til brede ekstreme temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til belastningsswitching i bilelektronik
• Ideel til industrielle styrekredsløb til høje temperaturer
• Anvendes sammen med kompakte strømregulatorer på overflademonterede konstruktioner
• Kan bruges til polaritets- og omvendt strømbeskyttelse
• Anvendes til batteristyringsfunktioner med lav til moderat strøm
• Ideel til industrielle styrekredsløb til høje temperaturer
• Anvendes sammen med kompakte strømregulatorer på overflademonterede konstruktioner
• Kan bruges til polaritets- og omvendt strømbeskyttelse
• Anvendes til batteristyringsfunktioner med lav til moderat strøm
Hvilken monteringstype kræves der til montering?
Den bruger en SOT-223 4-benet overflademonteret pakke, der er kompatibel med standard SMT reflow-processer og almindelige printlayouts.
Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde?
Den maksimalt tilladte gate-til-kilde-spænding er 20 V, så gate-drive-kredsløb skal forblive inden for denne tærskel for at undgå enhedsbelastning.
Hvordan påvirker fremadgående spænding systemdesign?
Den fremadrettede spænding på ca. 1,1 V informerer beregninger af effekttab under ledning og hjælper med at bestemme termiske styringsbehov i anvendelsen.
Er denne enhed velegnet til projekter i bilkvalitet?
Den opfylder AEC-Q101-kriterierne, hvilket gør den velegnet til mange implementeringer af elektroniske moduler til biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 260 mA 250 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 430 mA 250 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.17 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101