Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

RS-varenummer:: 165-5812
Producentens varenummer:: BSP322PH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 2.682,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.352,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 11. december 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
1000 +	Kr. 2,682	Kr. 2.682,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5812
Producentens varenummer:: BSP322PH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	SOT-223
	Serie	SIPMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	800mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Effektafsættelse maks. Pd	1.8W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	12.4nC
	Gennemgangsspænding Vf	0.84V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	3.5mm
	Længde	6.5mm
	Højde	1.6mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype SOT-223
	Serie SIPMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 800mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Effektafsættelse maks. Pd 1.8W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.4nC
	Gennemgangsspænding Vf 0.84V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 3.5mm
	Længde 6.5mm
	Højde 1.6mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 100 V maksimal drain-kildespænding, 1,8 W maksimal effekttab - BSP322PH6327XTSA1

Denne MOSFET er en P-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonteret effektkobling i krævende miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til højspændings P-kanalskoblingsopgaver, hvor en kompakt pakkeform og robusthed i bilkvalitet er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 100 V drain-klassificering muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 800 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under belastning
• 1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter lave til moderate strømme
• Maksimalt tab på 1,8 W muliggør stabil strømhåndtering
• 12,4 nC typisk gate-opladning giver forudsigelige krav til gate-driver
• 20 V maksimal gate-source-spænding opretholder sikker drevmargen

Anvendelser

• Velegnet til belastningsswitching i elektroniske moduler til biler
• Ideel til højspændingspolaritetsbeskyttelseskredsløb
• Anvendes til strømstyring i batteridrevne systemer
• Kan bruges til forebyggelse af omvendt strøm i DC-skinner
• Velegnet til kompakte overflademonterede strømkonverteringstrin

Hvilket temperaturområde kan den tåle i marken?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket gør den velegnet til barske termiske miljøer.

Hvor mange ben og monteringsstil skal designere forvente?

Enheden har fire ben og er beregnet til overflademontering i et SOT-223-footprint.

Hvilke elektriske egenskaber bestemmer kravene til skiftehastighed?

Gate-ladningen på 12,4 nC angiver den opladning, der kræves ved porten, og informerer om valg af portdrivere og drevtimer.

Hvilke mekaniske kappedimensioner er vigtige for layoutplanlægning?

Komponenten måler 6,5 x 3,5 x 1,6 mm, hvilket bidrager til hensyntagen til bundareal og afstand.