Infineon N-Kanal, MOSFET, 2,9 A 60 V, 3 ben, SOT-223, SIPMOS® BSP320SH6327XTSA1

RS-varenummer:: 753-2810
Producentens varenummer:: BSP320SH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 2,9 A 60 V, 3 ben, SOT-223, SIPMOS® BSP320SH6327XTSA1

Der er mulighed for mængderabat

Pris pr. stk. Pr. stk. (på tape á 10)

Kr. 3,905

(ekskl. moms)

Kr. 4,881

(inkl. moms)

20 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

Enheder	Pr stk.	Per Tape**
10 - 90	Kr. 3,905	Kr. 39,05
100 - 240	Kr. 3,711	Kr. 37,11
250 - 490	Kr. 3,551	Kr. 35,51
500 - 990	Kr. 3,40	Kr. 34,00
1000 +	Kr. 3,164	Kr. 31,64

RS-varenummer:: 753-2810
Producentens varenummer:: BSP320SH6327XTSA1
Brand:: Infineon

BSP320S, SIPMOS Small-Signal-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	2,9 A
Drain source spænding maks.	60 V
Serie	SIPMOS®
Kapslingstype	SOT-223
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	120 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2.1V
Effektafsættelse maks.	1,8 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Antal elementer per chip	1
Bredde	3.5mm
Længde	6.5mm
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Transistormateriale	Si
Gate-ladning ved Vgs typisk	9,7 nC ved 10 V
Højde	1.6mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

Infineon N-Kanal, MOSFET, 2,9 A 60 V, 3 ben, SOT-223, SIPMOS® BSP320SH6327XTSA1

Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er

Relaterede links