Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 170 mA 400 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 165-5810
- Producentens varenummer:
- BSP324H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 1.823,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.279,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.000 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 1,823 | Kr. 1.823,00 |
| 2000 - 2000 | Kr. 1,732 | Kr. 1.732,00 |
| 3000 + | Kr. 1,623 | Kr. 1.623,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-5810
- Producentens varenummer:
- BSP324H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 170mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 25Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.54nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.6mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Bredde | 3.5 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 170mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 25Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.54nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.6mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Bredde 3.5 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 170 mA 400 V SOT-223, SIPMOS® BSP324H6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 170 mA 60 V SOT-23, SIPMOS® BSS84PH6327XTSA2
- Infineon P-Kanal 260 mA 250 V SOT-223, SIPMOS® BSP92PH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V SOT-223, SIPMOS® BSP88H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V SOT-223, SIPMOS® BSP125H6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 430 mA 250 V SOT-223, SIPMOS® BSP317PH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V SOT-223, SIPMOS® BSP297H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 280 mA 240 V Depletion SOT-223, SIPMOS® BSP129H6906XTSA1
