Infineon N-Kanal, MOSFET, 170 mA 400 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 826-9257
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-416
- Producentens varenummer:
- BSP324H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (50 enheder, i en pakke med 50)*
Kr. 286,80
(ekskl. moms)
Kr. 358,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 5,736 | Kr. 286,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 826-9257
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-416
- Producentens varenummer:
- BSP324H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 170mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 25Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.54nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.6mm | |
| Bredde | 3.5mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 170mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 25Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.54nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.6mm | ||
Bredde 3.5mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 400 V maksimal drain-kildespænding, 1,8 W maksimal effekttab - BSP324H6327XTSA1
Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til overflademonteret effektkobling i krævende miljøer. Den fungerer som et koblingselement eller styreelement i kredsløb, der kræver en enhed med forbedringstilstand, der er i stand til at håndtere betydelige drain-source-spændinger og certificering på bilniveau. Enheden præsenteres i et kompakt SOT-223-hus, der er velegnet til kortmonterede anvendelser, hvor den termiske og elektriske ydeevne skal balanceres.
Egenskaber og fordele:
• 400 V drain-source-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 25 Ω maks. Rds(on) reducerer ledningstab i kredsløb med lav strøm
• 170 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter opgaver med lille signalstrøm
• Maksimalt effekttab på 1,8 W håndterer moderate termiske belastninger
• 4,54 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere gate-overgange med mindre drevenergi
• 0,8 V fremadgående spænding forbedrer diodefaldseffektiviteten ved koblingshændelser
• 25 Ω maks. Rds(on) reducerer ledningstab i kredsløb med lav strøm
• 170 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter opgaver med lille signalstrøm
• Maksimalt effekttab på 1,8 W håndterer moderate termiske belastninger
• 4,54 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere gate-overgange med mindre drevenergi
• 0,8 V fremadgående spænding forbedrer diodefaldseffektiviteten ved koblingshændelser
Anvendelser
• Velegnet til hjælpekredsløb i bilelektronik
• Ideel til højspændingskontrol i strømforsynings-snubbernetværk
• Anvendes sammen med gate-drivere til lavstrømsskifttrin
• Kan bruges til belastningsbeskyttelse i sensormoduler
• Velegnet til overflademonterede enheder i kompakte strømkonstruktioner
• Ideel til højspændingskontrol i strømforsynings-snubbernetværk
• Anvendes sammen med gate-drivere til lavstrømsskifttrin
• Kan bruges til belastningsbeskyttelse i sensormoduler
• Velegnet til overflademonterede enheder i kompakte strømkonstruktioner
Hvilket temperaturområde kan den fungere i?
Den fungerer over et bredt omgivende område fra -55 °C op til 150 °C til brug i termisk varierede installationer.
Hvor mange ben og hvilken monteringstype tilbydes?
Enheden leveres med fire ben og er beregnet til overflademontering på printkort.
Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes under konstruktion?
Gate-drevet skal holdes inden for ±20 V for at undgå at overskride den maksimale gate-source-klassificering.
Hvilket pakkefodaftryk og udvendig dimensionering skal designere forvente?
Transistoren leveres i en SOT-223-pakke med overordnede dimensioner på 6,5 x 3,5 x 1,6 mm til planlægning af printkortlayout.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 170 mA 400 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.7 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
