Infineon N-Kanal, MOSFET, 170 mA 400 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Indhold (50 enheder, i en pakke med 50)*

Kr. 286,80

(ekskl. moms)

Kr. 358,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 +Kr. 5,736Kr. 286,80

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
826-9257
Elfa Distrelec varenummer:
304-44-416
Producentens varenummer:
BSP324H6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

170mA

Drain source spænding maks. Vds

400V

Emballagetype

SOT-223

Serie

SIPMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

25Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.54nC

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.6mm

Bredde

3.5mm

Længde

6.5mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 400 V maksimal drain-kildespænding, 1,8 W maksimal effekttab - BSP324H6327XTSA1


Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til overflademonteret effektkobling i krævende miljøer. Den fungerer som et koblingselement eller styreelement i kredsløb, der kræver en enhed med forbedringstilstand, der er i stand til at håndtere betydelige drain-source-spændinger og certificering på bilniveau. Enheden præsenteres i et kompakt SOT-223-hus, der er velegnet til kortmonterede anvendelser, hvor den termiske og elektriske ydeevne skal balanceres.

Egenskaber og fordele:


• 400 V drain-source-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 25 Ω maks. Rds(on) reducerer ledningstab i kredsløb med lav strøm
• 170 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter opgaver med lille signalstrøm
• Maksimalt effekttab på 1,8 W håndterer moderate termiske belastninger
• 4,54 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere gate-overgange med mindre drevenergi
• 0,8 V fremadgående spænding forbedrer diodefaldseffektiviteten ved koblingshændelser

Anvendelser


• Velegnet til hjælpekredsløb i bilelektronik
• Ideel til højspændingskontrol i strømforsynings-snubbernetværk
• Anvendes sammen med gate-drivere til lavstrømsskifttrin
• Kan bruges til belastningsbeskyttelse i sensormoduler
• Velegnet til overflademonterede enheder i kompakte strømkonstruktioner

Hvilket temperaturområde kan den fungere i?


Den fungerer over et bredt omgivende område fra -55 °C op til 150 °C til brug i termisk varierede installationer.

Hvor mange ben og hvilken monteringstype tilbydes?


Enheden leveres med fire ben og er beregnet til overflademontering på printkort.

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes under konstruktion?


Gate-drevet skal holdes inden for ±20 V for at undgå at overskride den maksimale gate-source-klassificering.

Hvilket pakkefodaftryk og udvendig dimensionering skal designere forvente?


Transistoren leveres i en SOT-223-pakke med overordnede dimensioner på 6,5 x 3,5 x 1,6 mm til planlægning af printkortlayout.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.