Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 165-5811
- Producentens varenummer:
- BSP125H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 2.659,00
(ekskl. moms)
Kr. 3.324,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 2,659 | Kr. 2.659,00 |
| 2000 - 2000 | Kr. 2,526 | Kr. 2.526,00 |
| 3000 + | Kr. 2,366 | Kr. 2.366,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-5811
- Producentens varenummer:
- BSP125H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bredde | 3.5mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.5mm | ||
Bredde 3.5mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 600 V maksimal drain-kildespænding, 120 mA maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSP125H6327XTSA1
Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser i krævende miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til kredsløb, der kræver høj drain-to-source-blokeringsevne og kontrolleret skifteadfærd. Pakken understøtter automatiseret printmontering og er velegnet til elektroniske systemer i transport- og industrielle sammenhænge.
Egenskaber og fordele:
• 600 V drain‐source-klassificering muliggør højspændingskoblingsevne
• 45 Ω maks. Rds reducerer lækage i slukket tilstand
• 4,4 nC typisk portladning for hurtigere portovergange
• 120 mA kontinuerlig drenstrøm til lavstrømsstrømstrin
• 0,8 V fremadgående spænding minimerer ledningsfald i diodestien
• 1,8 W maks. tab understøtter beskeden effekthåndtering
• 45 Ω maks. Rds reducerer lækage i slukket tilstand
• 4,4 nC typisk portladning for hurtigere portovergange
• 120 mA kontinuerlig drenstrøm til lavstrømsstrømstrin
• 0,8 V fremadgående spænding minimerer ledningsfald i diodestien
• 1,8 W maks. tab understøtter beskeden effekthåndtering
Anvendelser
• Velegnet til højspændings hjælpekredsløb til biler
• Ideel til indgangs-trins-omskiftning i strømforsyninger
• Anvendes sammen med industrielle sensorinterfaces, der kræver isolering
• Kan bruges til små motordrevbeskyttelseselementer
• Praktisk til batteristyring og ladeunderenheder
• Ideel til indgangs-trins-omskiftning i strømforsyninger
• Anvendes sammen med industrielle sensorinterfaces, der kræver isolering
• Kan bruges til små motordrevbeskyttelseselementer
• Praktisk til batteristyring og ladeunderenheder
Hvilken monteringsmetode er nødvendig til kortmontering?
Den leveres i en SOT-223-type hus til overflademontering, der er beregnet til loddet printkortmontering og reflow-processer.
Hvordan opfører den sig over ekstreme temperaturer?
Enheden er beregnet til drift fra -55 °C til 150 °C og opretholder koblingsfunktionen og de specificerede grænser i hele det termiske område.
Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde?
Den maksimale gate-til-kilde-spænding er 20 V, så drivkredsløb må ikke overstige denne amplitude for at undgå skader.
Er der begrænsninger på impuls versus kontinuerlig strøm?
Den specificerede kontinuerlige tømningskapacitet er 120 mA
højere transientstrømme kræver en vurdering af det termiske og sikre driftsområde.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 170 mA 400 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.7 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101