Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 197,90

(ekskl. moms)

Kr. 247,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 +Kr. 3,958Kr. 197,90

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
826-9276
Elfa Distrelec varenummer:
304-44-411
Producentens varenummer:
BSP125H6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120mA

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

SOT-223

Serie

SIPMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

45Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.4nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.5mm

Længde

6.5mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links