Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101 BSP125H6327XTSA1

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
826-9276
Producentens varenummer:
BSP125H6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120mA

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

SOT-223

Serie

SIPMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

45Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.4nC

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.5mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.5mm

Bredde

3.5 mm

Distrelec Product Id

304-44-411

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links