Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.7 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101 BSP373NH6327XTSA1
- RS-varenummer:
- 752-8224
- Producentens varenummer:
- BSP373NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 23,54
(ekskl. moms)
Kr. 29,425
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 3.535 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 4,708 | Kr. 23,54 |
| 50 - 120 | Kr. 4,248 | Kr. 21,24 |
| 125 - 245 | Kr. 3,96 | Kr. 19,80 |
| 250 - 495 | Kr. 3,672 | Kr. 18,36 |
| 500 + | Kr. 3,434 | Kr. 17,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 752-8224
- Producentens varenummer:
- BSP373NH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 300mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.2nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Bredde | 3.5 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 304-45-302 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 300mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.2nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Bredde 3.5 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 304-45-302 | ||
Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 1 3 ben SIPMOS® BSP373NH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 170 mA 400 V SOT-223, SIPMOS® BSP324H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V SOT-223, SIPMOS® BSP88H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V SOT-223, SIPMOS® BSP125H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 2 3 ben SIPMOS® BSP320SH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V SOT-223, SIPMOS® BSP297H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 2 3 ben SIPMOS® BSP318SH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 1 3 ben SIPMOS® BSP295H6327XTSA1
