Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.7 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 2.030,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.540,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 2,03Kr. 2.030,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-7514
Producentens varenummer:
BSP373NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.7A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-223

Serie

SIPMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

300mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.2nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.82V

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.6mm

Længde

6.5mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links