Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.7 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

RS-varenummer:: 165-7514
Producentens varenummer:: BSP373NH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.7 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 2.357,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.946,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
1000 +	Kr. 2,357	Kr. 2.357,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-7514
Producentens varenummer:: BSP373NH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1.7A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	SIPMOS
	Emballagetype	SOT-223
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	300mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	6.2nC
	Gennemgangsspænding Vf	820mV
	Effektafsættelse maks. Pd	1.8W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	6.5mm
	Bredde	3.5mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.6mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.7A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie SIPMOS
	Emballagetype SOT-223
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 300mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.2nC
	Gennemgangsspænding Vf 820mV
	Effektafsættelse maks. Pd 1.8W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 6.5mm
	Bredde 3.5mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.6mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 100 V maksimal drain-kildespænding, 1,7 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSP373NH6327XTSA1

Denne MOSFET er en kompakt N-kanal-forbedringstransistor, der er designet til overflademonteret effektkobling og styring i krævende miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og håndterer moderate konstante strøm- og spændingsniveauer, hvilket gør den velegnet til elektroniske systemer, der kræver et robust, automotive-kompatibelt koblingselement.

Egenskaber og fordele:

• 100 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 300 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab ved nominel strøm
• 1,7 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter stabiliseringsbelastninger
• 6,2 nC typisk gate-ladning giver mulighed for effektiv omskiftningskontrol
• 1.8 W maks. effekttab håndterer termisk belastning under brug
• 20 V maksimal gate-source-spænding giver mulighed for fleksible gate-drivniveauer

Anvendelser

• Velegnet til strømstyring i elektroniske moduler til biler
• Ideel til DC/DC-omformere i begrænsede samlinger
• Anvendes sammen med motordrev til styring af aktuatorer med lavt strømforbrug
• Kan bruges til belastningsswitching i telematiske enheder
• Anvendes til batteristyring i hjælpesystemer til køretøjer

Hvilken pakke bruges til kompakt montering på kortniveau?

Den leveres i en SOT-223-pakke, der er designet til overflademontering for at spare plads på printkortet, samtidig med at den giver mulighed for varmeoverførsel gennem fangen.

Hvordan klarer den sig i miljøer med høje temperaturer?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i høje omgivelses- eller motorrumforhold.

Hvilket antal ben og monteringstype skal designere forvente?

Enheden bruger fire ben og er beregnet til direkte overflademontering på et printkort til mekanisk og elektrisk tilslutning.

Er denne enhed velegnet til krav til bilkvalitet?

Den opfylder AEC-Q101-standarderne for halvlederenheder i bilkvalitet, hvilket er i overensstemmelse med specifikationerne for elektronisk pålidelighed i køretøjer.