Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.17 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-5070
- Producentens varenummer:
- BSP315PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 1.489,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.861,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 9.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 1,489 | Kr. 1.489,00 |
| 2000 - 2000 | Kr. 1,451 | Kr. 1.451,00 |
| 3000 + | Kr. 1,415 | Kr. 1.415,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-5070
- Producentens varenummer:
- BSP315PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 800mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.2nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.97V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Bredde | 3.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 800mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.2nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.97V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Bredde 3.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 60 V maksimal drain-kildespænding, 1,8 W maksimal effekttab - BSP315PH6327XTSA1
Denne MOSFET er en P-kanal-forstærkningstransistor, der er designet til overflademonteret effektomskiftning i biler og industrielle sammenhænge. Den giver moderat strømstyrke- og spændingsevne til belastningsswitching og beskyttelse mod omvendt polaritet i kompakte enheder og er velegnet til miljøer, der kræver udvidet temperaturdrift.
Egenskaber og fordele:
• 60 V drain-source mærkeværdi til mellemspændingskontaktfunktion
• 1,17 A kontinuerlig drenstrøm for småsignal-strømforsyning
• 800 mΩ maks. RDS(on) for reducerede ledningstab
• 5,2 nC typisk gate-ladning for effektivt gate-drev
• 1,8 W effekttab muliggør vedvarende drift med lavt strømforbrug
• AEC-Q101-kvalifikation for belastningstolerance i bilkvalitet
• 1,17 A kontinuerlig drenstrøm for småsignal-strømforsyning
• 800 mΩ maks. RDS(on) for reducerede ledningstab
• 5,2 nC typisk gate-ladning for effektivt gate-drev
• 1,8 W effekttab muliggør vedvarende drift med lavt strømforbrug
• AEC-Q101-kvalifikation for belastningstolerance i bilkvalitet
Anvendelser
• Velegnet til omskiftning af batteristyring i køretøjer
• Ideel til beskyttelse mod omvendt polaritet i bilelektronik
• Anvendes sammen med DC/DC-omformere med lavt strømforbrug til high-side-switching
• Kan bruges til belastningsafbrydelse i telematiske moduler
• Velegnet til kompakte strømstyringskort, der kræver overflademontering
• Ideel til beskyttelse mod omvendt polaritet i bilelektronik
• Anvendes sammen med DC/DC-omformere med lavt strømforbrug til high-side-switching
• Kan bruges til belastningsafbrydelse i telematiske moduler
• Velegnet til kompakte strømstyringskort, der kræver overflademontering
Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?
Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C for at passe til miljøer med høje temperaturer.
Hvilken pakke og monteringsmetode bruger den?
Enheden leveres i en SOT-223-pakke og er beregnet til overflademontering.
Hvor mange ben er tilgængelige til kredsløbstilslutninger?
Den har fire ben til at rumme kilde-, drain-, port- og monterings-/kontaktarrangementer.
Hvilken maksimal gate-spænding skal overholdes under brug?
Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V for at undgå belastning på enheden.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 1.17 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 260 mA 250 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 430 mA 250 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101