Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.17 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 1.516,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.895,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 9.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 - 1000Kr. 1,516Kr. 1.516,00
2000 - 2000Kr. 1,44Kr. 1.440,00
3000 +Kr. 1,349Kr. 1.349,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-5070
Producentens varenummer:
BSP315PH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.17A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

SIPMOS

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

800mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5.2nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-0.97V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.5mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.6mm

Bredde

3.5 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® P-kanal MOSFET'er


Infineon SIPMOS® småsignal P-kanal MOSFET'er har flere funktioner, som kan omfatte forbedringstilstand, kontinuerlig aftapning-strøm nogle så lave som -80 A plus et bredt driftstemperaturområde. SIPMOS effekttransistor har mange anvendelser, herunder indenfor telekommunikation, eMobility, bærbare computere, DC/DC-enheder samt i bilindustrien.

· AEC Q101 Kvalificeret (se datablad)

· blyfri blybelægning, i overensstemmelse med RoHS

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links