Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 260 mA 250 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101 BSP92PH6327XTSA1
- RS-varenummer:
- 752-8237
- Producentens varenummer:
- BSP92PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 37,14
(ekskl. moms)
Kr. 46,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 3,714 | Kr. 37,14 |
| 100 - 240 | Kr. 2,865 | Kr. 28,65 |
| 250 - 490 | Kr. 2,678 | Kr. 26,78 |
| 500 - 990 | Kr. 2,491 | Kr. 24,91 |
| 1000 + | Kr. 2,311 | Kr. 23,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 752-8237
- Producentens varenummer:
- BSP92PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 260mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 83V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Bredde | 3.5 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 260mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 83V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Bredde 3.5 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® P-kanal MOSFET'er
Infineon SIPMOS® småsignal P-kanal MOSFET'er har flere funktioner, som kan omfatte forbedringstilstand, kontinuerlig aftapning-strøm nogle så lave som -80 A plus et bredt driftstemperaturområde. SIPMOS effekttransistor har mange anvendelser, herunder indenfor telekommunikation, eMobility, bærbare computere, DC/DC-enheder samt i bilindustrien.
· AEC Q101 Kvalificeret (se datablad)
· blyfri blybelægning, i overensstemmelse med RoHS
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 430 mA 250 V SOT-223, SIPMOS® BSP317PH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 260 mA 240 V SOT-89, SIPMOS® BSS87H6327FTSA1
- Infineon N-Kanal 170 mA 400 V SOT-223, SIPMOS® BSP324H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V SOT-223, SIPMOS® BSP88H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V SOT-223, SIPMOS® BSP125H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V SOT-223, SIPMOS® BSP297H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 280 mA 240 V Depletion SOT-223, SIPMOS® BSP129H6906XTSA1
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V Depletion SOT-223, SIPMOS® BSP129H6327XTSA1