Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101 BSP170PH6327XTSA1
- RS-varenummer:
- 826-9250
- Producentens varenummer:
- BSP170PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 278,40
(ekskl. moms)
Kr. 348,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 5,568 | Kr. 278,40 |
| 100 - 200 | Kr. 4,12 | Kr. 206,00 |
| 250 - 450 | Kr. 3,842 | Kr. 192,10 |
| 500 - 1200 | Kr. 3,563 | Kr. 178,15 |
| 1250 + | Kr. 3,341 | Kr. 167,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 826-9250
- Producentens varenummer:
- BSP170PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 300mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.6mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.5 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 304-44-412 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 300mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.6mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.5 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 304-44-412 | ||
Infineon SIPMOS® P-kanal MOSFET'er
Infineon SIPMOS® småsignal P-kanal MOSFET'er har flere funktioner, som kan omfatte forbedringstilstand, kontinuerlig aftapning-strøm nogle så lave som -80 A plus et bredt driftstemperaturområde. SIPMOS effekttransistor har mange anvendelser, herunder indenfor telekommunikation, eMobility, bærbare computere, DC/DC-enheder samt i bilindustrien.
· AEC Q101 Kvalificeret (se datablad)
· blyfri blybelægning, i overensstemmelse med RoHS
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 1.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101 BSP171PH6327XTSA1
- Infineon Type P-Kanal 430 mA 250 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.17 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.17 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101 BSP315PH6327XTSA1
- Infineon Type P-Kanal 1 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101 BSP322PH6327XTSA1