Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 826-9279
- Producentens varenummer:
- BSP322PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 292,10
(ekskl. moms)
Kr. 365,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 5,842 | Kr. 292,10 |
| 100 - 200 | Kr. 4,498 | Kr. 224,90 |
| 250 - 450 | Kr. 4,207 | Kr. 210,35 |
| 500 - 1200 | Kr. 3,914 | Kr. 195,70 |
| 1250 + | Kr. 3,62 | Kr. 181,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 826-9279
- Producentens varenummer:
- BSP322PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 800mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.84V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.5mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 800mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.84V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.5mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 100 V maksimal drain-kildespænding, 1,8 W maksimal effekttab - BSP322PH6327XTSA1
Denne MOSFET er en P-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonteret effektkobling i krævende miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til højspændings P-kanalskoblingsopgaver, hvor en kompakt pakkeform og robusthed i bilkvalitet er påkrævet.
Egenskaber og fordele:
• 100 V drain-klassificering muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 800 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under belastning
• 1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter lave til moderate strømme
• Maksimalt tab på 1,8 W muliggør stabil strømhåndtering
• 12,4 nC typisk gate-opladning giver forudsigelige krav til gate-driver
• 20 V maksimal gate-source-spænding opretholder sikker drevmargen
• 800 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under belastning
• 1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter lave til moderate strømme
• Maksimalt tab på 1,8 W muliggør stabil strømhåndtering
• 12,4 nC typisk gate-opladning giver forudsigelige krav til gate-driver
• 20 V maksimal gate-source-spænding opretholder sikker drevmargen
Anvendelser
• Velegnet til belastningsswitching i elektroniske moduler til biler
• Ideel til højspændingspolaritetsbeskyttelseskredsløb
• Anvendes til strømstyring i batteridrevne systemer
• Kan bruges til forebyggelse af omvendt strøm i DC-skinner
• Velegnet til kompakte overflademonterede strømkonverteringstrin
• Ideel til højspændingspolaritetsbeskyttelseskredsløb
• Anvendes til strømstyring i batteridrevne systemer
• Kan bruges til forebyggelse af omvendt strøm i DC-skinner
• Velegnet til kompakte overflademonterede strømkonverteringstrin
Hvilket temperaturområde kan den tåle i marken?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket gør den velegnet til barske termiske miljøer.
Hvor mange ben og monteringsstil skal designere forvente?
Enheden har fire ben og er beregnet til overflademontering i et SOT-223-footprint.
Hvilke elektriske egenskaber bestemmer kravene til skiftehastighed?
Gate-ladningen på 12,4 nC angiver den opladning, der kræves ved porten, og informerer om valg af portdrivere og drevtimer.
Hvilke mekaniske kappedimensioner er vigtige for layoutplanlægning?
Komponenten måler 6,5 x 3,5 x 1,6 mm, hvilket bidrager til hensyntagen til bundareal og afstand.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 1 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 260 mA 250 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 430 mA 250 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.17 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101