Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
165-7698
Producentens varenummer:
BSP320SH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.9A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-223

Serie

SIPMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

120mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.7nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Gennemgangsspænding Vf

0.95V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.5mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

3.5 mm

Højde

1.6mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links