Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101 BSP171PH6327XTSA1
- RS-varenummer:
- 167-942
- Producentens varenummer:
- BSP171PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 47,20
(ekskl. moms)
Kr. 59,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 20.630 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 4,72 | Kr. 47,20 |
| 100 - 240 | Kr. 4,481 | Kr. 44,81 |
| 250 - 490 | Kr. 4,391 | Kr. 43,91 |
| 500 - 990 | Kr. 4,114 | Kr. 41,14 |
| 1000 + | Kr. 3,822 | Kr. 38,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 167-942
- Producentens varenummer:
- BSP171PH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 300mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.5mm | |
| Bredde | 3.5 mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Distrelec Product Id | 304-36-976 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 300mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.5mm | ||
Bredde 3.5 mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Distrelec Product Id 304-36-976 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 1,9A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 1,8W maksimal effektafledning - BSP171PH6327XTSA1
Denne MOSFET er designet til højtydende switching-applikationer ved hjælp af P-kanal-teknologi. Med SIPMOS®-teknologi sikrer den pålidelig drift i en kompakt SOT-223-pakke, hvilket gør den til en velegnet løsning til bilindustrien og industrielle applikationer. Den kontinuerlige afløbsstrøm på 1,9 A og en maksimal spænding på 60 V gør den endnu mere effektiv til at styre strømmen på tværs af forskellige anvendelser.
Egenskaber og fordele
• P-kanal-konfiguration understøtter applikationer med lav sidekobling
• Enhancement mode-drift fremmer effektiv ydeevne
• Overflademonteret design sparer værdifuld PCB-plads
• Klassificeret til høje temperaturer op til +150 °C, hvilket sikrer holdbarhed
• Lav Rds(on) mindsker strømtab under skift
Anvendelsesområder
• Load switching i bilelektronik
• Strømstyringskredsløb til energieffektivitet
• Højfrekvent der kræver hurtig omskiftning
• Kørselsbelastninger i elektroniske forbrugerapparater
• Strømforsyningskredsløb, der kræver kompakte løsninger
Hvad er den maksimale drain-source-spænding, som denne komponent kan håndtere?
Komponenten kan modstå en maksimal drain-source-spænding på 60 V, hvilket gør den velegnet til forskellige anvendelser.
Hvordan klarer denne komponent sig ved høje temperaturer?
Den fungerer effektivt ved temperaturer op til +150 °C, hvilket giver en god ydeevne i krævende miljøer.
Kan det bruges i batteridrevne kredsløb?
Ja, dens lave Rds(on) reducerer strømtabet betydeligt, hvilket gør den velegnet til batteridrevne enheder.
Hvad er betydningen af lavineklassificeringen?
Lavineklassificeringen indikerer, at enheden kan absorbere energispidser, hvilket forbedrer dens holdbarhed og pålidelighed under transienter.
Hvordan kan jeg sikre korrekt installation på PCB'et?
Det er vigtigt at følge dimensionsspecifikationerne for SOT-223-pakken og at implementere passende termisk styring under installationen.
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 1 3 ben SIPMOS® BSP171PH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 1 3 ben SIPMOS® BSP170PH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V SOT-223, SIPMOS® AEC-Q101 BSP89H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V SOT-223, SIPMOS® AEC-Q101 BSP297H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 1 3 ben SIPMOS® AEC-Q101 BSP295H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 280 mA 240 V Depletion SOT-223, SIPMOS® AEC-Q101 BSP129H6906XTSA1
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V Depletion SOT-223, SIPMOS® AEC-Q101 BSP149H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V Depletion SOT-223, SIPMOS® AEC-Q101 BSP135H6327XTSA1
