Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.8 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

RS-varenummer:: 911-4827
Producentens varenummer:: BSP295H6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.8 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 2.422,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.028,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
1000 - 1000	Kr. 2,422	Kr. 2.422,00
2000 - 2000	Kr. 2,301	Kr. 2.301,00
3000 +	Kr. 2,156	Kr. 2.156,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 911-4827
Producentens varenummer:: BSP295H6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1.8A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	SOT-223
	Serie	SIPMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	300mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	1.8W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	14nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	1.6mm
	Længde	6.5mm
	Bredde	3.5 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.8A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype SOT-223
	Serie SIPMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 300mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 1.8W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 1.6mm
	Længde 6.5mm
	Bredde 3.5 mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 1,8A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 1,8W maksimal effektafledning - BSP295H6327XTSA1

Denne MOSFET er konstrueret til højtydende applikationer inden for automatisering og elektronik. Dens N-kanalskonfiguration kombineret med et effektivt overflademonteringsdesign giver mulighed for effektiv strømstyring, hvilket gør den velegnet til en række industrielle anvendelser. Den understøtter en maksimal drain-source-spænding på 60 V, hvilket sikrer en ensartet ydelse til forskellige projekter.

Egenskaber og fordele

• Håndterer kontinuerligt en afløbsstrøm på 1,8A

• Lav maksimal drain-source modstand på 300mΩ

• Bredt gate-source-spændingsområde fra -20V til +20V

• Kvalificeret til AEC-Q101 standard for pålidelighed i bilindustrien

Anvendelsesområder

• Strømstyringssystemer til effektiv styring af output

• Motordrev til pålidelige skifteoperationer

• Signalforstærkning i forskellige elektroniske enheder

• Elektroniske styreenheder til biler

Hvad er komponentens typiske effektafgivelse?

Den kan aflede op til 1,8 W under specificerede forhold for effektiv varmestyring under drift.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen ydeevnen?

Den maksimale gate-tærskelspænding er 1,8 V, hvilket gør det muligt for MOSFET'en at opnå optimal ydelse ved lave indgangsniveauer.

Kan denne komponent håndtere pulserende afløbsstrømme?

Ja, den er klassificeret til pulserende afløbsstrøm på op til 6 A, så den effektivt kan håndtere transiente forhold.

Hvilke emballagemuligheder findes der?

MOSFET'en fås i en SOT-223 overflademonteringspakke, der er optimeret til pladsbesparende design.

Er enheden i overensstemmelse med miljøstandarder?

Den har Pb-fri blybelægning og overholder RoHS, så den lever op til moderne miljøregler.