Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.8 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 911-4827
- Producentens varenummer:
- BSP295H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1000 enheder, på en rulle med 1000)*
Kr. 2.837,00
(ekskl. moms)
Kr. 3.546,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.000 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 2,837 | Kr. 2.837,00 |
| 2000 - 2000 | Kr. 2,696 | Kr. 2.696,00 |
| 3000 + | Kr. 2,525 | Kr. 2.525,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 911-4827
- Producentens varenummer:
- BSP295H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 300mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.5mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 300mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.5mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 1,8A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 1,8W maksimal effektafledning - BSP295H6327XTSA1
Denne MOSFET er konstrueret til højtydende applikationer inden for automatisering og elektronik. Dens N-kanalskonfiguration kombineret med et effektivt overflademonteringsdesign giver mulighed for effektiv strømstyring, hvilket gør den velegnet til en række industrielle anvendelser. Den understøtter en maksimal drain-source-spænding på 60 V, hvilket sikrer en ensartet ydelse til forskellige projekter.
Egenskaber og fordele
• Håndterer kontinuerligt en afløbsstrøm på 1,8A
• Lav maksimal drain-source modstand på 300mΩ
• Bredt gate-source-spændingsområde fra -20V til +20V
• Kvalificeret til AEC-Q101 standard for pålidelighed i bilindustrien
Anvendelsesområder
• Strømstyringssystemer til effektiv styring af output
• Motordrev til pålidelige skifteoperationer
• Signalforstærkning i forskellige elektroniske enheder
• Elektroniske styreenheder til biler
Hvad er komponentens typiske effektafgivelse?
Den kan aflede op til 1,8 W under specificerede forhold for effektiv varmestyring under drift.
Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen ydeevnen?
Den maksimale gate-tærskelspænding er 1,8 V, hvilket gør det muligt for MOSFET'en at opnå optimal ydelse ved lave indgangsniveauer.
Kan denne komponent håndtere pulserende afløbsstrømme?
Ja, den er klassificeret til pulserende afløbsstrøm på op til 6 A, så den effektivt kan håndtere transiente forhold.
Hvilke emballagemuligheder findes der?
MOSFET'en fås i en SOT-223 overflademonteringspakke, der er optimeret til pladsbesparende design.
Er enheden i overensstemmelse med miljøstandarder?
Den har Pb-fri blybelægning og overholder RoHS, så den lever op til moderne miljøregler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 170 mA 400 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.7 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101