Infineon N-Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, BSP88 AEC-Q101

RS-varenummer:: 218-2982
Producentens varenummer:: BSP88H6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 350 mA 240 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, BSP88 AEC-Q101

Indhold (50 enheder, i en pakke med 50)*

Kr. 206,00

(ekskl. moms)

Kr. 257,50

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 19. november 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
50 +	Kr. 4,12	Kr. 206,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 218-2982
Producentens varenummer:: BSP88H6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	350mA
	Drain source spænding maks. Vds	240V
	Serie	BSP88
	Emballagetype	SOT-223
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	6Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	4.5nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	1.8W
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	3.7mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	6.7mm
	Højde	1.8mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA
	Drain source spænding maks. Vds 240V
	Serie BSP88
	Emballagetype SOT-223
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 6Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.5nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 1.8W
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 3.7mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 6.7mm
	Højde 1.8mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - BSP88H6327XTSA1

Infineon BSP88 seriens MOSFET, 240 V maksimal drain source-spænding, 1,8 W maksimal effekttab - BSP88H6327XTSA1

Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til overflademonteret effektkobling og styring i krævende miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til bilanvendelser, og giver forbedringstilstandsskift med portbeskyttelse, der er velegnet til typiske styrespændinger.

Egenskaber og fordele:

• 240 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 6 Ω maks. Rds reducerer ledningstab i kredsløb med lav strømstyrke
• 350 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate strømbelastninger
• 4.5 nC typisk portladning giver mulighed for hurtigere portovergange
• 1,8 W effekttab rummer moderate termiske belastninger
• 20 V gate-source-grænse giver defineret gate-beskyttelsesmargin

Anvendelser

• Velegnet til sensorkredsløb i biler
• Ideel til isolerede højspændingsstyringstrin
• Anvendes sammen med batteristyring eller hjælpesystemer
• Kan bruges til strømsekvensering på kortniveau
• Velegnet til styring af motordrivere med lavt strømforbrug

Hvilket temperaturområde kan den tolerere under drift?

Enheden er nominelt beregnet til drift fra -55 °C op til 150 °C.

Hvordan er enheden beregnet til at blive monteret på et printkort?

Den leveres i en SOT-223-pakke til overflademontering.

Hvilket pakkeantal ben skal designere forvente?

Der er fire ben til rådighed til kredsløbstilslutninger.

Hvilken kanaltype og -tilstand definerer dens skifteadfærd?

Det er en N-kanal-enhed, der fungerer i forstærkning.

Hvilken bilstandard opfylder den for kvalificering?

Den er i overensstemmelse med AEC-Q101-komponentstandarden for biler.