Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.12 A 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101 BSP296NH6433XTMA1
- RS-varenummer:
- 250-0534
- Producentens varenummer:
- BSP296NH6433XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 21,54
(ekskl. moms)
Kr. 26,925
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.765 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 4,308 | Kr. 21,54 |
| 50 - 120 | Kr. 3,844 | Kr. 19,22 |
| 125 - 245 | Kr. 3,576 | Kr. 17,88 |
| 250 - 495 | Kr. 3,352 | Kr. 16,76 |
| 500 + | Kr. 3,112 | Kr. 15,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0534
- Producentens varenummer:
- BSP296NH6433XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | BSP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie BSP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon gør OptiMOS småsignal-transistor til en N-kanal, forstærkningstilstand og logisk niveau er 4,5V normeret. Den er lavine-klassificeret, 100 % blyfri og halogenfri.
Lavine-klassificeret og 100% blyfri
VdS er 100 V og ID er 1,2 A.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 120 mA 100 V SOT-223 BSP296NH6433XTMA1
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V SOT-223 BSP125H6433XTMA1
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V SOT-223, SIPMOS® BSP125H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V Depletion SOT-223, BSP135I BSP135IXTSA1
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V Depletion SOT-223, SIPMOS® BSP135H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V Depletion SOT-223, SIPMOS® AEC-Q101 BSP135H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 680 mA 100 V SOT-223 BSP316PH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V SOT-223 BSP149H6906XTSA1
