Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 52,88

(ekskl. moms)

Kr. 66,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.670 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 10,576Kr. 52,88
50 - 120Kr. 9,41Kr. 47,05
125 - 245Kr. 8,796Kr. 43,98
250 - 495Kr. 8,228Kr. 41,14
500 +Kr. 7,63Kr. 38,15

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
250-0534
Producentens varenummer:
BSP296NH6433XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120mA

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-223

Serie

BSP

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon gør OptiMOS småsignal-transistor til en N-kanal, forstærkningstilstand og logisk niveau er 4,5V normeret. Den er lavine-klassificeret, 100 % blyfri og halogenfri.

Lavine-klassificeret og 100% blyfri

VdS er 100 V og ID er 1,2 A.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.