Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 39,79

(ekskl. moms)

Kr. 49,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.910 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 7,958Kr. 39,79
50 - 120Kr. 6,836Kr. 34,18
125 - 245Kr. 6,372Kr. 31,86
250 - 495Kr. 5,864Kr. 29,32
500 +Kr. 5,506Kr. 27,53

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
250-0528
Producentens varenummer:
BSP125H6433XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120mA

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

BSP

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

45000mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

+150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon n-kanal produkter med lille signal er velegnede til brug i biler. Denne SIPMOS effekttransistor er en N-kanal, forstærkningstilstand med VdS på 600 V, RDS(on)45 Ω og ID er 0,12 A. Det er dv/dt-klassificeret.

Blyfri forgyldning

Maks. effekttab er 360mW

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.