Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.12 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 15,41

(ekskl. moms)

Kr. 19,26

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.930 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 3,082Kr. 15,41
50 - 120Kr. 2,662Kr. 13,31
125 - 245Kr. 2,484Kr. 12,42
250 - 495Kr. 2,274Kr. 11,37
500 +Kr. 2,14Kr. 10,70

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
250-0528
Producentens varenummer:
BSP125H6433XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.12A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

BSP

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon n-kanal produkter med lille signal er velegnede til brug i biler. Denne SIPMOS effekttransistor er en N-kanal, forstærkningstilstand med VdS på 600 V, RDS(on)45 Ω og ID er 0,12 A. Det er dv/dt-klassificeret.

Blyfri forgyldning

Maks. effekttab er 360mW

Relaterede links

Recently viewed