Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.12 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 5.544,00

(ekskl. moms)

Kr. 6.928,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 25. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 +Kr. 1,386Kr. 5.544,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
250-0527
Producentens varenummer:
BSP125H6433XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.12A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

BSP

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon n-kanal produkter med lille signal er velegnede til brug i biler. Denne SIPMOS effekttransistor er en N-kanal, forstærkningstilstand med VdS på 600 V, RDS(on)45 Ω og ID er 0,12 A. Det er dv/dt-klassificeret.

Blyfri forgyldning

Maks. effekttab er 360mW

Relaterede links