Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.12 A 40 V Udtømning, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 250-0529
- Producentens varenummer:
- BSP129H6906XTSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 2.332,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.915,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 4.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 2,332 | Kr. 2.332,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0529
- Producentens varenummer:
- BSP129H6906XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | BSP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie BSP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 280 mA maksimal kontinuerlig drænstrøm, 1,8 W maksimal effektafledning - BSP129H6906XTSA1
Denne transistor til små signaler er en effektiv løsning til enheder, der kræver høj spænding og mulighed for overflademontering. Som en N-kanal-MOSFET i udtømningstilstand muliggør den effektiv drift i forskellige elektroniske applikationer. Med en maksimal drain-source-spænding på 240 V og en kontinuerlig drain-strømkapacitet på 280 mA er dette produkt velegnet til automatiserings- og bilapplikationer, hvilket gør det til et pålideligt valg til at styre strømmen i forskellige elektroniske kredsløb.
Egenskaber og fordele
• N-kanal-konfiguration understøtter effektive skifteoperationer
• Depletion mode-funktionalitet sikrer konstant strømydelse
• Høj spænding giver alsidige anvendelsesmuligheder
• Lav gate-tærskelspænding forbedrer systemkompatibiliteten
• Overflademonteret design giver mulighed for pladsbesparende installationer
• AEC-Q101-kvalificeret, egnet til brug i biler
Anvendelsesområder
• Velegnet til kontrolsystemer i biler
• Kan bruges i strømstyringskredsløb
• Forbrugerelektronik for øget effektivitet
Hvordan kan man sikre korrekt installation for at opnå optimal ydelse?
Montér MOSFET'en på printkortet efter de angivne retningslinjer for montering, og sørg for korrekt termisk styring for effektiv varmeafledning.
Hvad skal man overveje i forbindelse med varmestyring under drift?
Den termiske modstand skal overvåges, da driftstemperaturen varierer fra -55 °C til +150 °C, hvilket kræver et passende PCB-design for at lette effektiv varmeledning.
Hvilken type portdrev anbefales til dette produkt?
En gatespænding inden for det specificerede område på ±20V er afgørende for optimale skifteegenskaber, hvilket sikrer pålidelig drift på tværs af applikationer.
Kan denne MOSFET bruges i højhastigheds-switching-applikationer?
Ja, den er designet til at fungere effektivt i højhastigheds-switching-scenarier takket være specificerede turn-on- og turn-off-forsinkelsestider.
Hvad skal man være opmærksom på med hensyn til gate-ladningskarakteristika?
Den samlede gate-ladning ved 5V er ca. 3,8nC, hvilket optimerer strømeffektiviteten under switching uden at belaste drivkredsløbene for meget.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 0.12 A 40 V Udtømning SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 0.12 A 40 V Forbedring SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 0.12 A 100 V Forbedring SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 0.12 A 600 V Udtømning PG-SOT223, BSP AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 350 mA 240 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 660 mA 200 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 mA 600 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 mA 600 V Udtømning SOT-223, BSP135I AEC-Q101