Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Udtømning, 4 Ben, SOT-223, BSP135I AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 225-0554
- Producentens varenummer:
- BSP135IXTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 1.337,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.671,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 1,337 | Kr. 1.337,00 |
| 2000 - 2000 | Kr. 1,271 | Kr. 1.271,00 |
| 3000 + | Kr. 1,19 | Kr. 1.190,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-0554
- Producentens varenummer:
- BSP135IXTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | BSP135I | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.8mm | |
| Længde | 6.7mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie BSP135I | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.8mm | ||
Længde 6.7mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon BSP135I er det lille signal, N- og P-kanal MOSFET'er med lille effekt giver et bredt udvalg af VGS-niveauer (TH) og RDS(on)-værdier samt flere spændingsklasser. Denne MOSFET har funktioner til forbedring og reduktion.
PCB-plads og omkostningsbesparelser
Fleksibilitet for bagportdrev
Reduceret designkompleksitet
Miljøvenlig
Høj samlet effektivitet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 120 mA 600 V Udtømning SOT-223, BSP135I AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 mA 600 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 350 mA 240 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 660 mA 200 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 0.12 A 40 V Udtømning SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 190 mA 100 V Udtømning SOT-223, BSS123I
- Infineon Type N-Kanal 120 mA 600 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 230 mA 60 V Udtømning SOT-23, SIPMOS AEC-Q101