Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Udtømning, 4 Ben, SOT-223, BSP135I AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 225-0554
- Producentens varenummer:
- BSP135IXTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1000 enheder, på en rulle med 1000)*
Kr. 1.508,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.885,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 1,508 | Kr. 1.508,00 |
| 2000 - 2000 | Kr. 1,433 | Kr. 1.433,00 |
| 3000 + | Kr. 1,342 | Kr. 1.342,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-0554
- Producentens varenummer:
- BSP135IXTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | BSP135I | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.7nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.7mm | |
| Bredde | 3.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.8mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie BSP135I | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.7nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.7mm | ||
Bredde 3.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.8mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon BSP135I seriens MOSFET, 600 V maksimal drain source-spænding, 120 mA maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSP135IXTSA1
Denne MOSFET er en højspændings N-kanals udtømningsenhed, der er designet til overflademonteret effektstyring under krævende driftsforhold. Den fungerer som en koblings- og strømstyringskomponent, der er i stand til at håndtere forhøjet drain-til-kilde-belastning, mens den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til barske miljøer.
Egenskaber og fordele:
• 600 V drain-til-kilde-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 60 Ω maksimal RDS(on) giver lavt ledningstab i tændt tilstand
• 1.8 W maks. effekttab understøtter beskedne termiske belastninger
• 120 mA kontinuerlig afløbsstrøm til anvendelser med stabil lav strøm
• 3.7 nC typisk gate-ladning for forudsigelig omskiftning
• 20 V maksimal gate-source-modstand for robust gate-håndtering
• 60 Ω maksimal RDS(on) giver lavt ledningstab i tændt tilstand
• 1.8 W maks. effekttab understøtter beskedne termiske belastninger
• 120 mA kontinuerlig afløbsstrøm til anvendelser med stabil lav strøm
• 3.7 nC typisk gate-ladning for forudsigelig omskiftning
• 20 V maksimal gate-source-modstand for robust gate-håndtering
Anvendelser
• Velegnet til højspændingskredsløb i strømforsyninger
• Ideel til bilelektronik, der kræver robusthed af komponenter
• Anvendes sammen med overflademonterede enheder på kompakte kort
• Kan bruges til strømbegrænsning eller registrering i styringskredsløb
• Velegnet til miljøer med termisk belastning fra -55 °C til 150 °C
• Ideel til bilelektronik, der kræver robusthed af komponenter
• Anvendes sammen med overflademonterede enheder på kompakte kort
• Kan bruges til strømbegrænsning eller registrering i styringskredsløb
• Velegnet til miljøer med termisk belastning fra -55 °C til 150 °C
Hvilken hustype bruger den til printkortmontering?
Den leveres i en SOT-223-pakke konfigureret til overflademontering.
Hvilken elektrisk polaritet og ledningstilstand anvender den?
Enheden er N-kanal og fungerer i udtømningstilstand.
Hvilket antal ben er tilgængeligt til hensyntagen til kortlayout?
Komponenten har fire ben til tilslutning og montering.
Hvilken fysisk profil skal være tilladt til kabinetsdesign?
Komponenten måler 6,7 mm længde, 3,7 mm bredde og 1,8 mm højde.
Hvilken standard for egnethed til biler er opfyldt til brug i køretøjer?
Den er i overensstemmelse med AEC-Q101-standarden for bilkomponenter.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V Udtømning SOT-223, BSP135I AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 0.12 A 40 V Udtømning SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 190 mA 100 V Udtømning SOT-223, BSS123I
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V Udtømning SOT-23, SIPMOS AEC-Q101