Infineon N-Kanal, MOSFET, 190 mA 100 V Udtømning, 4 Ben, SOT-223, BSS123I
- RS-varenummer:
- 225-0556
- Producentens varenummer:
- BSS123IXTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*
Kr. 1.047,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.308,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,349 | Kr. 1.047,00 |
| 6000 - 12000 | Kr. 0,332 | Kr. 996,00 |
| 15000 + | Kr. 0,318 | Kr. 954,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-0556
- Producentens varenummer:
- BSS123IXTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 190mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | BSS123I | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.63nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.7mm | |
| Længde | 6.7mm | |
| Højde | 1.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 190mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie BSS123I | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.63nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.7mm | ||
Længde 6.7mm | ||
Højde 1.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon BSS123I seriens MOSFET, 100 V maksimal drain source-spænding, 190 mA maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS123IXTSA1
Denne MOSFET er en N-kanal-transistor med lille signal, der er designet til overflademonterede anvendelser og giver koblings- og forstærkningsfunktioner over et bredt temperaturområde. Den er beregnet til kredsløb, der kræver en enhed med udtømningstilstand med beskeden strømhåndtering og moderat spændingsevne, velegnet til kompakte enheder, hvor et SOT-223-pakke og konservativ strømhåndtering er påkrævet.
Egenskaber og fordele:
• 100 V mærkeværdi fra drain til kilde giver højspændingskontaktkapacitet
• 10 Ω maksimal RDS(on) giver kontrolleret ledning i tændt tilstand
• 190 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter lavstrømsbelastninger
• 0.5 W effekttab begrænser termisk belastning i begrænsede layouts
• 0,63 nC typisk gate-ladning muliggør beskedne krav til koblingsenergi
• ±20 V gate-tolerance giver bred fleksibilitet til gate-drev
• 10 Ω maksimal RDS(on) giver kontrolleret ledning i tændt tilstand
• 190 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter lavstrømsbelastninger
• 0.5 W effekttab begrænser termisk belastning i begrænsede layouts
• 0,63 nC typisk gate-ladning muliggør beskedne krav til koblingsenergi
• ±20 V gate-tolerance giver bred fleksibilitet til gate-drev
Anvendelser
• Anvendes til lavstrøms-højspændingsswitching i styringskredsløb
• Velegnet til overflademonteret strømstyring på kompakte kort
• Ideel til analog signaldæmpning eller pull-down-funktioner
• Kan bruges til niveauskift i blandede spændingssystemer
• Anvendes sammen med drivertrin, der har brug for egenskaber for udtømningstilstand
• Velegnet til overflademonteret strømstyring på kompakte kort
• Ideel til analog signaldæmpning eller pull-down-funktioner
• Kan bruges til niveauskift i blandede spændingssystemer
• Anvendes sammen med drivertrin, der har brug for egenskaber for udtømningstilstand
Hvilken omgivelsestemperatur kan den arbejde i?
Den er specificeret til at fungere korrekt fra -55 °C op til 150 °C.
Hvilken pakke skal designere planlægge, når de lægger kortet ud?
Enheden leveres i en SOT-223-pakke til overflademontering med fire ben til printkortplanlægning.
Hvordan påvirker dens gate-ladning koblingsydeevnen?
En typisk gate-ladning på 0,63 nC reducerer den nødvendige gate-drevenergi og påvirker overgangshastigheden i koblingstopologier.
Hvad begrænser den maksimale kontinuerlige strøm i anvendelser?
Den specificerede kontinuerlige afløbsstrøm på 190 mA definerer termiske og ledningsføringsgrænser for vedvarende drift.
Er dette beregnet som en komponent i bilkvalitet?
Den er ikke klassificeret iht. bilstandarder og bør ikke antages at opfylde bilkvalitetskravene.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 190 mA 100 V Udtømning SOT-223, BSS123I
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 660 mA 200 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 mA 600 V Udtømning SOT-223, BSP135I AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 0.12 A 40 V Udtømning SOT-223, BSP AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 230 mA 60 V Udtømning SOT-23, BSS138I
- Infineon N-Kanal 100 mA 250 V Udtømning SOT-23, BSS139I