Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3.7 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, BSR AEC-Q101 BSR802NL6327HTSA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 4,47

(ekskl. moms)

Kr. 5,59

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.095 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 0,894Kr. 4,47

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
250-0540
Producentens varenummer:
BSR802NL6327HTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.7A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SOT-223

Serie

BSR

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-497

Infineon gør denne Optimos 2 småsignal-transistor. Det er en P-kanal, transistor i forstærkningstilstand, der anvendes i mange sammenhænge. Den er lavine-klassificeret og halogenfri.

Logikniveau (4,5V normeret)

Lavine-klassificeret og 100% blyfri

Maks. effekttab er 360 mW

Relaterede links