Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3.7 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, BSR AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 250-0540
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-497
- Producentens varenummer:
- BSR802NL6327HTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 20,05
(ekskl. moms)
Kr. 25,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 4,01 | Kr. 20,05 |
| 50 - 120 | Kr. 3,426 | Kr. 17,13 |
| 125 - 245 | Kr. 3,232 | Kr. 16,16 |
| 250 - 495 | Kr. 2,992 | Kr. 14,96 |
| 500 + | Kr. 2,798 | Kr. 13,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 250-0540
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-40-497
- Producentens varenummer:
- BSR802NL6327HTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | BSR | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie BSR | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon gør denne Optimos 2 småsignal-transistor. Det er en P-kanal, transistor i forstærkningstilstand, der anvendes i mange sammenhænge. Den er lavine-klassificeret og halogenfri.
Logikniveau (4,5V normeret)
Lavine-klassificeret og 100% blyfri
Maks. effekttab er 360 mW
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 3.7 A 40 V Forbedring SOT-223, BSR AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 3.7 A 60 V Forbedring SOT-223, ISP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 3.7 A 70 V Forbedring SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 3.7 A 100 V Forbedring SOT-223 AEC-Q200
- Infineon Type N-Kanal 350 mA 240 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 mA 600 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
