Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3.7 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, BSR AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 20,05

(ekskl. moms)

Kr. 25,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 4,01Kr. 20,05
50 - 120Kr. 3,426Kr. 17,13
125 - 245Kr. 3,232Kr. 16,16
250 - 495Kr. 2,992Kr. 14,96
500 +Kr. 2,798Kr. 13,99

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
250-0540
Elfa Distrelec varenummer:
304-40-497
Producentens varenummer:
BSR802NL6327HTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.7A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

BSR

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon gør denne Optimos 2 småsignal-transistor. Det er en P-kanal, transistor i forstærkningstilstand, der anvendes i mange sammenhænge. Den er lavine-klassificeret og halogenfri.

Logikniveau (4,5V normeret)

Lavine-klassificeret og 100% blyfri

Maks. effekttab er 360 mW

Relaterede links